IPD082N10N3GATMA1 vs BSC076N06NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon ו BSC076N06NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD082N10N3GATMA1 BSC076N06NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] 2.0 V to 3.5 V
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg value]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) —
סטטוס RoHS Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 50 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 7.6 mΩ
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.4 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 69 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
מארז — PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
RoHS Compliance — Compliant
נטול הלוגנים — Yes (per Infineon product page)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר