IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPD082N10N3GATMA1 - 100V N-Channel OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon
IPD082N10N3GATMA1 ✓ نشط
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD082N10N3GATMA1 | BSC0902NSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Part Number | IPD082N10N3GATMA1 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench N-Channel) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | 80 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V | 8.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | 125 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55°C to +175°C | — |
| العلبة / الحالة | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Automotive Qualified (AEC-Q101) | Not applicable (industrial/consumer grade) | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Product Family | — | OptiMOS 30V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 23 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | — | 2.8 mOhm |
| Gate Charge QG(0V..10V) | — | 24 nC |
| Output Charge QOSS | — | 17 nC |
| Power Dissipation (TA) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| العلبة | — | PG-TDSON-8-6 (TDSON-8) |
| Built-in Diode | — | Yes (single with built-in diode) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |