IPD082N10N3GATMA1 vs BSC0902NSIATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD082N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC0902NSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD082N10N3GATMA1 BSC0902NSIATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55°C to +175°C —
پیکیج / کیس PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (Gate, Drain, Source) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes Yes
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Product Family — OptiMOS 30V
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 23 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 2.8 mOhm
Gate Charge QG(0V..10V) — 24 nC
Output Charge QOSS — 17 nC
Power Dissipation (TA) — 2.5 W
Power Dissipation (TC) — 48 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
پیکیج — PG-TDSON-8-6 (TDSON-8)
Built-in Diode — Yes (single with built-in diode)
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں