IPD082N10N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD30N10S3L34ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD082N10N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C -55°C to +175°C
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) —
حالة RoHS Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
نوع الترانزستور — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
العلبة — PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر