IPD082N10N3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD082N10N3GATMA1 توسط Infineon و IPD30N10S3L34ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD082N10N3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 180 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C -55°C to +175°C
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) —
وضعیت RoHS Compliant —
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
Product Family — OptiMOS-T2
نوع ترانزیستور — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
بسته‌بندی — PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت