IPD082N10N3GATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD082N10N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD082N10N3GATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
حالة RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
العلبة — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction)
Series — CoolMOS CFD7
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر