IPD082N10N3GATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD082N10N3GATMA1 توسط Infineon و IPD60R145CFD7ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD082N10N3GATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
بسته‌بندی — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Series — CoolMOS CFD7
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت