IPD082N10N3GATMA1 vs IPD60R145CFD7ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD082N10N3GATMA1 מאת Infineon ו IPD60R145CFD7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD082N10N3GATMA1 IPD60R145CFD7ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Part Number IPD082N10N3GATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 3 (Trench N-Channel) CoolMOS CFD7 (superjunction)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C 80 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C 125 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (DPAK, 3-pin + tab)
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source) 3 (Gate, Drain, Source)
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Qualified (AEC-Q101) Not applicable (industrial/consumer grade) —
Lead-Free Yes —
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 600 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 16 A (T<sub>C</sub> = 25C)
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max — 145 mOhm
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — 83 W (T<sub>C</sub> = 25C)
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> — [DATA_NEEDED: Vth typical/min/max]
מארז — TO-252AA (DPAK) surface mount
Body Diode — Integrated fast body diode (low Q<sub>rr</sub>)
טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction)
Series — CoolMOS CFD7
Target Application — ZVS / LLC resonant converters, soft switching

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר