IPD60N10S412ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60N10S412ATMA1 بواسطة Infineon و IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD60N10S412ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | — |
| العلبة | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (2 + Tab) | — |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| حالة RoHS | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| خالٍ من الهالوجين | Yes (per Infineon definition) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +150 °C |