IPD60N10S412ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60N10S412ATMA1 tarafından Infineon ve IPD65R380E6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60N10S412ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPD60N10S412ATMA1 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 60 A | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 94 W | — |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 12.2 mOhm | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TO252-3-313 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (2 + Tab) | — |
| MSL Seviyesi | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Peak Reflow Temperature | 260 C | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (Automotive Grade) | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Avalanche Tested | 100% Avalanche Tested | — |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon definition) | — |
| Series | — | CoolMOS™ E6 |
| Technology | — | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C |