IPD60R385CPATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R385CPATMA1 بواسطة Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R385CPATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C -55C to +150C
العلبة / الحالة PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 8
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
العلبة — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر