IPD60R385CPATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD60R385CPATMA1 توسط Infineon و BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD60R385CPATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
دمای اتصال کاری -55 °C to +150 °C -55C to +150C
بسته‌بندی / کیس PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 8
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
بسته‌بندی — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت