IPD60R385CPATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD60R385CPATMA1 מאת Infineon ו BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD60R385CPATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +150 °C -55C to +150C
מארז / Case PG-TO252-3 (DPAK) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 8
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
מארז — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר