IPD60R385CPATMA1 vs BSC077N12NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R385CPATMA1 tarafından Infineon ve BSC077N12NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD60R385CPATMA1 BSC077N12NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ CP (5th generation) —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 600 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 385 mΩ (typ, VGS = 10 V) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 27 A [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 83 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 18 nC (typ) —
Reverse Recovery Charge (Qrr) [DATA_NEEDED: Qrr] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Paket / Kas PG-TO252-3 (DPAK) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain) 8
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Family — OptiMOS 3 (120 V)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 120 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 13.4 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 98 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 7.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.5 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Power Dissipation (PD) at Tc — 139 W
Paket — PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Automotive Grade — Yes (per Infineon part number suffix / datasheet)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin