IPD65R380E6ATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon و IPD028N06NF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD65R380E6ATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +150 °C —
العلبة PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Number — IPD028N06NF2SATMA1
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 139 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain-tab, Source)
Packing — Tape & Reel (T&R)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر