IPD65R380E6ATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD65R380E6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD028N06NF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD65R380E6ATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Number — IPD028N06NF2SATMA1
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 139 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Pin Sayısı — 3 (Gate, Drain-tab, Source)
Packing — Tape & Reel (T&R)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin