IPD65R380E6ATMA1 vs IPD028N06NF2SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD028N06NF2SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD65R380E6ATMA1 IPD028N06NF2SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology Superjunction (CoolMOS™) —
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Part Number — IPD028N06NF2SATMA1
Technology Family — OptiMOS 5 60V
Drain-Source Voltage (VDS) max — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 139 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 2.85 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation at TA=25°C — 3 W
Power Dissipation at TC=25°C — 150 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +175 C
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain-tab, Source)
Packing — Tape & Reel (T&R)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں