IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R360P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60R360P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS P7 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | — |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD20) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 9 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 360 mΩ |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | — | 41 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55°C to +150°C |
| Storage Temperature | — | -55°C to +150°C |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | — | 3.5 V (typ) |
| ESD Protection (HBM) | — | >2 kV (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Qualification | — | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) |