IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD65R380E6ATMA1 tarafından Infineon ve IPD60R360P7ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD65R380E6ATMA1 IPD60R360P7ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6 CoolMOS P7
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS™) Superjunction (SJ) N-channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 650 V 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C 10.6 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 380 mΩ —
R_DS(on) test conditions 3.2 A, 10 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.5 V typ —
Gate Charge (Q_G) 39 nC at 10 V —
Input Capacitance (C_iss) 710 pF at 100 V —
Power Dissipation (P_D) at T_C 83 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Paket PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 1 (per JEDEC J-STD20)
Gate-Source Voltage (V_GS) — ±20 V (max)
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (I_D,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 360 mΩ
Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C — 41 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55°C to +150°C
Storage Temperature — -55°C to +150°C
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ — 3.5 V (typ)
ESD Protection (HBM) — >2 kV (per datasheet)
RoHS Compliance — Compliant
Qualification — Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin