IPD65R380E6ATMA1 vs IPD60R360P7ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD65R380E6ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R360P7ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IPD65R380E6ATMA1 | IPD60R360P7ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS™ E6 | CoolMOS P7 |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS™) | Superjunction (SJ) N-channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 650 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 10.6 A | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 380 mΩ | — |
| R_DS(on) test conditions | 3.2 A, 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.5 V typ | — |
| Gate Charge (Q_G) | 39 nC at 10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 710 pF at 100 V | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 83 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 °C to +150 °C | — |
| پیکیج | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | — |
| MSL لیول | 1 | 1 (per JEDEC J-STD20) |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | — | 9 A |
| Pulsed Drain Current (I_D,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 360 mΩ |
| Total Power Dissipation (P_tot) at T_C=25°C | — | 41 W |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55°C to +150°C |
| Storage Temperature | — | -55°C to +150°C |
| پیکیج / کیس | — | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) typ | — | 3.5 V (typ) |
| ESD Protection (HBM) | — | >2 kV (per datasheet) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Qualification | — | Industrial grade per JEDEC (J-STD20, JESD22) |