IPD70N10S312ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD70N10S312ATMA2 بواسطة Infineon و IPD33CN10NGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD70N10S312ATMA2 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ) |
| العلبة | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Lead-Free | — | Yes |