IPD70N10S312ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD70N10S312ATMA2 द्वारा Infineon और IPD33CN10NGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ सक्रियInfineon
IPD33CN10NGATMA1 - 100V N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon | PG-TO252
IPD33CN10NGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD70N10S312ATMA2 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ) |
| पैकेज | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Lead-Free | — | Yes |