IPD70N10S312ATMA2 vs IPD33CN10NGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD70N10S312ATMA2 tarafından Infineon ve IPD33CN10NGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPD70N10S312ATMA2 - 100V 70A N-Ch OptiMOS Power MOSFET | Infineon
IPD70N10S312ATMA2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD70N10S312ATMA2 | IPD33CN10NGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPD70N10S312ATMA2 | — |
| Technology | OptiMOS-T Power-MOSFET (N-Channel) | OptiMOS (Trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 70 A | 27 A |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 125 W | — |
| On-State Resistance RDS(on) | [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at VGS=10V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | -55C to +175C (TJ) |
| Paket | PG-TO252-3-11 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 (Gate, Drain, Source) | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 58 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg] |
| Lead-Free | — | Yes |