IPD70N10S3L12ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon و IPB35N10S3L26ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD70N10S3L12ATMA1 IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPD70N10S3L12ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD70N10S3L12ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS-T OptiMOS-T
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (Enhancement Mode) —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 180 A —
Power Dissipation (Ptot, Tc) 125 W —
On-State Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 11.5 mΩ —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (junction) —
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 3 (Drain, Gate, Source + tab) 3 (Gate, Drain, Source)
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Avalanche Rating 100 % avalanche tested —
حالة RoHS Compliant (Green Product) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Avalanche Energy (Single Pulse) [DATA_NEEDED: EAS value] —
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
AEC-Q101 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر