IPD80R1K4P7ATMA1 vs IPN80R1K2P7ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD80R1K4P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN80R1K2P7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD80R1K4P7ATMA1 | IPN80R1K2P7ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | N-Channel Superjunction | Superjunction (CoolMOS) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 4 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) typ/max | 1.2 ohm typ / 1.4 ohm max | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typ) | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| تبديد القدرة (Ptot) | 32 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-TO252-2 (DPAK) | SOT-223 (3-pin, 2 + tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 (Gate, Drain/Tab, Source) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| Body Diode | Integrated, fast recovery | — |
| Family / Series | — | CoolMOS P7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage VDSS | — | 800 V |
| Continuous Drain Current ID (Tc) | — | 4.5 A |
| Maximum RDS(on) | — | 1200 mΩ at VGS = 10 V |
| Power Dissipation PD (Tc) | — | 6.8 W |
| Gate-Source Voltage VGSS | — | [DATA_NEEDED: VGSS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| ESD Protection | — | ESD-protected gate (per CoolMOS P7 family) |
| RoHS Compliance | — | Compliant |