IPD90N03S4L02ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90N03S4L02ATMA1 بواسطة Infineon و BSC027N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90N03S4L02ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
العلبة PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1
حالة RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
تبديد القدرة (TC=25°C) — 83 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر