IPD90N03S4L02ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90N03S4L02ATMA1 מאת Infineon ו BSC027N04LSGATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPD90N03S4L02ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
טמפרטורת צומת פעולה -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
מארז PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1
סטטוס RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
סוג טרנזיסטור — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
פיזור הספק (TC=25°C) — 83 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55°C to +150°C
נטול הלוגנים — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר