IPD90N03S4L02ATMA1 vs BSC027N04LSGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPD90N03S4L02ATMA1 توسط Infineon و BSC027N04LSGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPD90N03S4L02ATMA1 BSC027N04LSGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench OptiMOS 3 (Trench)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
دمای اتصال کاری -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
بسته‌بندی PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1
وضعیت RoHS Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 2.7 mΩ
Power Dissipation (Ta=25°C) — 2.5 W
اتلاف توان (TC=25°C) — 83 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +150°C
بدون هالوژن — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت