IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD90P04P4L04ATMA2 بواسطة Infineon و IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPD90P04P4L04ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C —
العلبة PG-TO252-3-313 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS (IPB70N10)
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
العلبة / الحالة — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر