IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD90P04P4L04ATMA2 بذریعہ Infineon اور IPB70N10S3L12ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD90P04P4L04ATMA2 IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 - -40V P-Ch 90A 4.3mOhm OptiMOS | Infineon

IPD90P04P4L04ATMA2 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD90P04P4L04ATMA2 IPB70N10S3L12ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TO252-3-313 (DPAK) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 Qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Series — OptiMOS (IPB70N10)
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 70 A
Peak Drain Current (IDM) — 180 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 11.8 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 125 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +175 °C
پیکیج / کیس — PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 °C peak reflow)
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Avalanche Tested — 100 % Avalanche Tested
ہیلوجن فری — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں