IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPB70N10S3L12ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD90P04P4L04ATMA2 מאת Infineon ו IPB70N10S3L12ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 - 100V 70A 11.8mΩ OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon
IPB70N10S3L12ATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IPD90P04P4L04ATMA2 | IPB70N10S3L12ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Part Number | IPD90P04P4L04ATMA2 | — |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Family | OptiMOS-P2 | — |
| Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -40 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | -90 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 125 W | — |
| On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| מארז | PG-TO252-3-313 (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 (2 + Tab) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 Qualified |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Series | — | OptiMOS (IPB70N10) |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 70 A |
| Peak Drain Current (IDM) | — | 180 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 11.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 125 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| מארז / Case | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 °C peak reflow) |
| RoHS / Green | — | RoHS Compliant, Green Product |
| Avalanche Tested | — | 100 % Avalanche Tested |
| נטול הלוגנים | — | Yes |