IPG20N10S4L35AATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPG20N10S4L35AATMA1 بواسطة Infineon و IPB35N10S3L26ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPG20N10S4L35AATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type Dual N-Channel (2 independent N-MOSFETs) —
Technology OptiMOS™ trench MOSFET, logic-level —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
RDS(on) Max @ VGS=10 V, ID=17 A 35 mΩ —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-level (typ. 1.7 V, fully enhanced at 4.5 V) —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 43 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (TJ) —
العلبة PG-TDSON-8-10 (TDSON EP, wettable flank) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
AEC-Q101 Qualification Yes (automotive grade) [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain Connection Exposed pad (EP) tied to drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر