IPG20N10S4L35AATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPG20N10S4L35AATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB35N10S3L26ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPG20N10S4L35AATMA1 IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 - 100V Dual N-Ch 20A MOSFET | Infineon

IPG20N10S4L35AATMA1 ✓ فعال
Infineon
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 - 100V 35A N-Ch OptiMOS-T MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPG20N10S4L35AATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel (2 independent N-MOSFETs) —
Technology OptiMOS™ trench MOSFET, logic-level —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
RDS(on) Max @ VGS=10 V, ID=17 A 35 mΩ —
Gate Threshold (VGS(th)) Logic-level (typ. 1.7 V, fully enhanced at 4.5 V) —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 43 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +175°C (TJ) —
پیکیج PG-TDSON-8-10 (TDSON EP, wettable flank) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rating 100% avalanche tested —
AEC-Q101 Qualification Yes (automotive grade) [DATA_NEEDED: AEC-Q101 qualification status]
RoHS Compliance Yes (Green Product) —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain Connection Exposed pad (EP) tied to drain —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS-T
Channel Type — N-Channel
Maximum Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 35 A
Power Dissipation (PD) at TC — 71 W
Package Type — PG-TO263-3 (D2PAK-2)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
Channel Mode — Enhancement
RDS(on) (typical per Infineon product page) — 26.3 mΩ
Typical Gate Charge Qg @ Vgs — 80 nC
Maximum Drain-Source Resistance Rds — 1.7 mΩ (per RS Components listing)
Minimum Operating Temperature — -55 C
Maximum Power Dissipation Pd — 81 W (per RS Components listing)
RoHS اسٹیٹس — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں