IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPL60R105P7AUMA1 بواسطة Infineon و IPL60R085P7AUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPL60R105P7AUMA1 - 600V CoolMOS P7 105mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IPL60R105P7AUMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPL60R105P7AUMA1 | IPL60R085P7AUMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET | CoolMOS P7 superjunction (7th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 600 V |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 105 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Ptot) at Tc | 137 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg) typ | 45 nC | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C | — |
| العلبة | PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) | PG-VSON-4 (VSON-4, source-down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 39 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) | — | 24 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 85 mΩ at VGS=10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.5 V |
| Maximum Power Dissipation (Ptot) | — | 154 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -40 °C to +150 °C |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ESD Robustness (HBM) | — | >2 kV (all pins) |
| Qualification | — | JEDEC industrial |
| Polarity | — | N-channel |