IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPL60R105P7AUMA1 بذریعہ Infineon اور IPL60R085P7AUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPL60R085P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 - 600V 85mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPL60R085P7AUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPL60R105P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C —
پیکیج PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں