IPL60R105P7AUMA1 vs IPL60R085P7AUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPL60R105P7AUMA1 tarafından Infineon ve IPL60R085P7AUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPL60R105P7AUMA1 IPL60R085P7AUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series CoolMOS P7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel Power MOSFET CoolMOS P7 superjunction (7th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
On-Resistance (RDS(on)) max 105 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 33 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (Ptot) at Tc 137 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.5 V —
Gate Charge (Qg) typ 45 nC —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C —
Paket PG-VSON-4 (4-pin SMD with exposed pad) PG-VSON-4 (VSON-4, source-down)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Klorürsüz Yes —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 39 A
Continuous Drain Current (ID, Tc=100°C) — 24 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 85 mΩ at VGS=10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.5 V
Maximum Power Dissipation (Ptot) — 154 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -40 °C to +150 °C
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
ESD Robustness (HBM) — >2 kV (all pins)
Qualification — JEDEC industrial
Polarity — N-channel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin