IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPN80R4K5P7ATMA1 بواسطة Infineon و IPN60R2K0PFD7SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPN80R4K5P7ATMA1 | IPN60R2K0PFD7SATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS P7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 800 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 1.5 A | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 4.5 ohm max | — |
| العلبة | PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) | PG-SOT223-3-1 (SOT-223) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CoolMOS Superjunction (SJ) | CoolMOS superjunction |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Grade | Industrial | — |
| Application | Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per Newark listing) |
| Reel / Tape Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Product Series | — | CoolMOS PFD7 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 3 A |
| Power Dissipation (Tc) | — | 6 W |
| RDS(on) typical @ VGS=10V | — | 2.0 Ohm |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.626 Ohm (per Infineon product page) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing) |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 134 pF @ 400 V (per UTMel listing) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |