IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPN80R4K5P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPN60R2K0PFD7SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPN80R4K5P7ATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
پیکیج PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS superjunction
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (per Newark listing)
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS PFD7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں