IPN80R4K5P7ATMA1 vs IPN60R2K0PFD7SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN80R4K5P7ATMA1 tarafından Infineon ve IPN60R2K0PFD7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPN60R2K0PFD7SATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 - 600V CoolMOS PFD7 MOSFET | Infineon

IPN60R2K0PFD7SATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPN80R4K5P7ATMA1 IPN60R2K0PFD7SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 800 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 1.5 A —
Power Dissipation (Pd, Tc) 6 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 4.5 ohm max —
Paket PG-SOT223 (surface mount, 3-pin + tab) PG-SOT223-3-1 (SOT-223)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) CoolMOS superjunction
Operating Mode Enhancement-mode —
Grade Industrial —
Application Low-power SMPS, flyback converters, LED drivers —
RoHS Durumu Compliant Compliant (per Newark listing)
Reel / Tape Packaging Tape & Reel (T/R) —
Product Series — CoolMOS PFD7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Continuous Drain Current (Tc) — 3 A
Power Dissipation (Tc) — 6 W
RDS(on) typical @ VGS=10V — 2.0 Ohm
RDS(on) max @ VGS=10V — 1.626 Ohm (per Infineon product page)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.8 nC @ 10 V (per UTMel listing)
Input Capacitance (Ciss) — 134 pF @ 400 V (per UTMel listing)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin