IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPP320N20N3GXKSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPP075N15N3GXKSA1 | IPP320N20N3GXKSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) | N-Channel Trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 100 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 300 W | — |
| On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) | 7.5 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] | — |
| العلبة | PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) | TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] | -55°C to +175°C |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Lead-Free / RoHS | RoHS Compliant | — |
| Ordering Code Suffix | GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 34 A |
| On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 32 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 4 V |
| Total Power Dissipation PD at TC=25°C | — | 136 W |
| عدد الدبابيس | — | 3 (3 + Tab) |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Element Configuration | — | Single |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| مستوى MSL | — | Not applicable (through-hole) |