IPP075N15N3GXKSA1 vs IPP320N20N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP075N15N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP320N20N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP075N15N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 3 OptiMOS 3
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
Paket PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55°C to +175°C
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 34 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 32 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Power Dissipation PD at TC=25°C — 136 W
Pin Sayısı — 3 (3 + Tab)
Channel Type — N-Channel
Element Configuration — Single
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes
MSL Seviyesi — Not applicable (through-hole)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin