IPP075N15N3GXKSA1 vs IPT059N15N3ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPP075N15N3GXKSA1 بواسطة Infineon و IPT059N15N3ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPP075N15N3GXKSA1 IPT059N15N3ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
العلبة PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 155 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 375 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
عدد الأطراف — 8 + exposed source tab
حالة RoHS — Compliant
مستوى MSL — 1
Automotive Qualified — No (industrial grade; non-AEC-Q)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر