IPP075N15N3GXKSA1 vs IPT059N15N3ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP075N15N3GXKSA1 توسط Infineon و IPT059N15N3ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP075N15N3GXKSA1 IPT059N15N3ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
بسته‌بندی PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless)
نوع نصب Through Hole Surface Mount
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
نوع ترانزیستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 155 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 375 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
تعداد پایه — 8 + exposed source tab
وضعیت RoHS — Compliant
سطح MSL — 1
Automotive Qualified — No (industrial grade; non-AEC-Q)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت