IPP075N15N3GXKSA1 vs IPT059N15N3ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPP075N15N3GXKSA1 بذریعہ Infineon اور IPT059N15N3ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPP075N15N3GXKSA1 IPT059N15N3ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
Technology N-Channel MOSFET (OptiMOS 3) OptiMOS™ 3 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25C) 300 W —
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) 7.5 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max] —
پیکیج PG-TO220-3 (TO-220 through-hole) PG-HSOF-8-1 (TOLL / TO-Leadless)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: junction operating temperature range] -55 °C to +175 °C (TJ max 175 °C)
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Lead-Free / RoHS RoHS Compliant —
Ordering Code Suffix GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant) —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 155 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mΩ
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 375 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
پن کی تعداد — 8 + exposed source tab
RoHS اسٹیٹس — Compliant
MSL لیول — 1
Automotive Qualified — No (industrial grade; non-AEC-Q)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں