IPT012N08NF2SATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT012N08NF2SATMA1 بواسطة Infineon و IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPT012N08NF2SATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون — In Stock
سعر الوحدة (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPT012N08NF2SATMA1 —
Product Family StrongIRFET™ CoolMOS CFD7
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 39 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 351 A —
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V 1.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max 3.8 V —
Power Dissipation (PD) at Ta 3.8 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 300 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-HSOF-8-10 (HSOF) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Pin Count (incl. tab) 9 pins (8+tab) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS-derived) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
حالة RoHS Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T/R) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
تبديد القدرة (TC=25°C) — 227 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
مستوى MSL — 1
Lead-Free — Yes
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر