IPT067N20NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPT067N20NM6ATMA1 بواسطة Infineon و IPTG025N15NM6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPT067N20NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W 395 W
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Polarity / Channel Type — N-Channel
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر