IPT067N20NM6ATMA1 vs IPTG025N15NM6ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT067N20NM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPTG025N15NM6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT067N20NM6ATMA1 IPTG025N15NM6ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 15.3 A 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 137 A 264 A (pulsed)
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C 300 W 395 W
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket PG-HSOF-8-1 (8-pin + exposed tab) PG-HSOG-8-1 (TOLG)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55 C to +175 C (typical for OptiMOS 6)
Technology Trench-gate OptiMOS 6 silicon OptiMOS 6 150 V (N-channel trench)
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
On-Resistance RDS(on) typ [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] —
Configuration Single N-channel —
Polarity / Channel Type — N-Channel
On-State Resistance RDS(on) typ — 2.5 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg value]
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Solder Joint Reliability — Excellent - 30% smaller footprint than D2PAK

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin