IPW60R037P7XKSA1 vs IMLT65R040M2HXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPW60R037P7XKSA1 بواسطة Infineon و IMLT65R040M2HXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 - 600V 76A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPW60R037P7XKSA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPW60R037P7XKSA1 IMLT65R040M2HXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS™ P7 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET (Superjunction) —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) 76 A —
On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) 37 mΩ —
Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) 255 W —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) 3.5 V —
العلبة PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) PG-HDSOP-16-6 (surface mount, top-side-cooled)
نوع التركيب Through Hole Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +150 °C -55 °C to +150 °C
Technology CoolMOS Superjunction (SJ) Silicon Carbide (SiC) N-channel MOSFET
Orderable Part Number Suffix XKSA1 (tube packaging, industrial) —
حالة RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Product Family — CoolSiC™ G2 (2nd generation SiC trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 650 V
Continuous Drain Current (ID, TC) — 57 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — 143 A
On-State Resistance RDS(on) (typ, VGS=18V) — 40 mΩ
On-State Resistance RDS(on) (max, VGS=18V) — 49 mΩ
Total Gate Charge QG — 28 nC
Output Charge QOSS @ 400 V — 53 nC
Output Energy EOSS @ 400 V — 7.2 µJ
Continuous Drain Power Dissipation (PD, TC) — 268 W
Recommended Gate Drive Voltage VGS — 18 V (turn-off: 0 V or negative)
Qualification — JEDEC industrial
Packaging — Tape & Reel
Special Features — Kelvin source pin, low reverse-recovery charge, hard-switching optimized

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر