IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQDH35N03LM5SCATMA1 بواسطة Infineon و IQDH88N06LM5ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQDH35N03LM5SCATMA1 | IQDH88N06LM5ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) | OptiMOS 5 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 66 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | 700 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 0.35 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 278 W | 333 W |
| العلبة | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: TJ max] |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Marking | IQDH35N03LM5S | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | — | 42 A |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | — | 447 A |
| RDS(on) Max at VGS=10V | — | 0.86 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Series | — | OptiMOS 5 |