IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IQDH88N06LM5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH88N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH88N06LM5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) OptiMOS 5 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W 333 W
پیکیج PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: TJ max]
MSL لیول 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Drain Current (ID) Continuous at Ta — 42 A
Drain Current (ID) Continuous at Tc — 447 A
RDS(on) Max at VGS=10V — 0.86 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Series — OptiMOS 5

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں